未命名 (1) (8) (1)
port
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Du er her: Hjem » Produkter » Mosfet » 12v-300v N Mos » 120a 85V N-kanal Forbedringstilstand Power Mosfet DSG048N08N3 TO-220C

Indlæsning

Del til:
Facebook -delingsknap
Twitter -delingsknap
Linjedelingsknap
WeChat -delingsknap
LinkedIn -delingsknap
Pinterest -delingsknap
Whatsapp -delingsknap
Sharethis delingsknap

120A 85V N-kanal Forbedringstilstand Power MOSFET DSG048N08N3 TO-220C


Denne N-kanalforbedringstilstand Power MOSFETs brugte avanceret Split-portgraveteknologi-design, leverede fremragende RDSON og lav gate-ladning. Der stemmer overens med ROHS -standarden.
Tilgængelighed:
Mængde:
Spørge Føj til kurv

120A 85V N-kanal Forbedringstilstand Power Mosfet


1 Beskrivelse 


Denne N-kanalforbedringstilstand Power MOSFETs brugte avanceret Split-portgraveteknologi-design, leverede fremragende RDSON og lav gate-ladning. Der stemmer overens med ROHS -standarden. 


2 funktioner 

● Hurtig skift

● Lav modstand 

● Opladning med lav port 

● Høj lavine strøm

● Lav omvendt overførselskapacitanser 

● 100% enkelt puls -lavine energitest 

● 100% ΔVDS -test 


3 applikationer 

● Synkron ensrettet i SMP'er

● Hård skift og højhastighedskredsløb

● elværktøjer 

● UPS 

● Motorstyring


VDSS RDS (on) (typ) Id
85v 4,1mΩ 120a                        


Download Enhed+DSG048N08N3+Specifikation+Rev.1.0.pdf

Tidligere: 
Næste: 
Mosfet
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Tilmeld dig vores nyhedsbrev
  • Gør dig klar til den fremtidige
    tilmelding til vores nyhedsbrev for at få opdateringer direkte til din indbakke
    Indsende
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology af leadong.com