120A 85V N-kanálový režim vylepšení výkonu MOSFET DSG048N08N3 TO-220C

Výkonový MOSFET 120A 85V N-channel Enhancement Mode

1 Popis 

Tyto výkonové mosfety v režimu vylepšení N-kanálů využívaly pokročilý design technologie výkopu s dělenou bránou, který poskytoval vynikající Rdson a nízký náboj brány. Což odpovídá standardu RoHS. 

2 Vlastnosti 

● Rychlé přepínání

● Nízký odpor 

● Nízký poplatek za bránu 

● Vysoký lavinový proud

● Nízké zpětné přenosové kapacity 

● 100% jednopulzní lavinový energetický test 

● 100% test ΔVDS 

3 Aplikace 

● Synchronní usměrnění v SMPS

● Pevné spínání a vysokorychlostní obvod

● Elektrické nářadí 

● UPS 

● Ovládání motoru

VDSS	RDS(zapnuto)(TYP)	ID
85V	4,1 mΩ	120A