未命名 (1) (8) (1)
gerbang
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Anda di sini: Rumah » Produk » MOSFET » 12V-300V n Mos » 120a 85V N-Channel Mode Peningkatan Power MOSFET DSG048N08N3 TO-220C

memuat

Bagikan ke:
Tombol Berbagi Facebook
Tombol Berbagi Twitter
Tombol Berbagi Baris
Tombol Berbagi WeChat
Tombol Berbagi LinkedIn
Tombol Berbagi Pinterest
Tombol Berbagi WhatsApp
Tombol Berbagi Sharethis

120A 85V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DSG048N08N3 TO-220C


Mode Peningkatan N-Channel Power MOSFET ini menggunakan desain teknologi parit gerbang splite canggih, memberikan RDson yang sangat baik dan biaya gerbang rendah. Yang sesuai dengan standar ROHS.
Ketersediaan:
Kuantitas:
Menanyakan Tambahkan ke keranjang

120A 85V N-saluran Mode Peningkatan MOSFET


1 deskripsi 


Mode Peningkatan N-Channel Power MOSFET ini menggunakan desain teknologi parit gerbang splite canggih, memberikan RDSON yang sangat baik dan biaya gerbang rendah. Yang sesuai dengan standar ROHS. 


2 fitur 

● Pergantian cepat

● Rendah pada resistensi 

● Biaya gerbang rendah 

● Arus longsoran salju tinggi

● Kapasitansi transfer terbalik rendah 

● Tes energi longsor pulsa tunggal 100% 

● Tes 100% ΔVDS 


3 aplikasi 

● Perbaikan sinkron di SMPS

● switching keras dan sirkuit kecepatan tinggi

● Alat listrik 

● UPS 

● Kontrol motor


VDSS RDS (on) (Typ) PENGENAL
85v 4.1mΩ 120a                        


unduh Perangkat+DSG048N08N3+Spesifikasi+Rev.1.0.pdf

Sebelumnya: 
Berikutnya: 
MOSFET
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Mendaftar untuk buletin kami
  • Bersiaplah untuk Masa Depan
    Mendaftar untuk Newsletter kami untuk mendapatkan pembaruan langsung ke kotak masuk Anda
    Kirim
Hak Cipta © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology oleh leadong.com