Tor
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Sie sind hier: Heim » Produkte » MOSFET » 12V-300V N MOS
Modell:
Paket:
V:
A:
AUSGEWÄHLTE PRODUKTLINIEN:

12V-300V N MOS

Bild Modell Paket V A Datenblatt Details Anfrage In den Warenkorb legen
NPN-Epitaxie-Siliziumtransistor 2SD882 TO-126 2SD882 TO-126 40V 3A 英文版D882术规格书.pdf
170 A 100 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DSG030N10N3 TO-220C DSG030N10N3 TO-220C 100V 170A Donghai_DSG030N10N3&DSE028N10N3_Datasheet_V1.0.pdf
140 A 150 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DSG070N15NA TO-220C DSG070N15NA TO-220C 150V 140A Donghai_ DSG070N15NA_DataSheet_V1.0.pdf
100 A 40 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DHS021N04P DFN5X6 DHS021N04P DFN5X6 40V 100A Donghai DHS021N04P Datenblatt V3.0.pdf
90 A 80 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DHD80N08 TO-252B DHD80N08 TO-252B 80V 90A Gerätespezifikation DHD80N08.pdf
120 A 80 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DSG053N08N3 DSG053N08N3 TO-220C 80V 120A Donghai_DSG053N08N3&DSE051N08N3_Datasheet_V1.0.pdf
25 A 100 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DHS250N10D TO-252B DHS250N10D TO-252B 100V 25A Gerät+DHS250N10D+Spezifikation+Rev1.0.pdf
 N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET 100 A 68 V DH060N07B TO-251B DH060N07B TO-251B 68V 100A Gerätespezifikation DH060N07D.pdf
63 A 60 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DH132N06/DH132N06F/DH132N06E/DH132N06B/DH132N06D
120 A 100 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DH10H037R TO-220C DH10H037R TO-220C 100V 120A Gerätespezifikation DH10H037R.pdf
N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET 120 A 85 V DHS045N88 TO-220C DHS045N88 TO-220C 85V 120A Gerätespezifikation DHS045N88-Rev.1.0.pdf
100 A 40 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DHS008N04P DFN5x6 DHS008N04P DFN5X6 40V 100A Donghai_DHS008N04P_Datasheet_V1.0.pdf
120 A 98 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DHS046N10 TO-220C DHS046N10 TO-220C 98V 120A Gerätespezifikation DHS046N10.pdf
112 A 68 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DH100N06 TO-220C DH100N06 TO-220C 68V 112A Donghai_DH100N06_Datasheet_V3.0.pdf
180 A 60 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DHS025N06E TO-263 DHS025N06E TO-263 60V 180A Donghai_ DHS025N06&DHS025N06E_DataSheet_V2.0.pdf
61 A 60 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DH16N06 TO-220C DH16N06 TO-220C 60V 61A Gerätespezifikation DH16N06.pdf
N-Kanal-Verstärkungsmodus-Leistungs-MOSFET 180 A 80 V DH8004 TO-220C DH8004 TO-220C 80V 180A Gerätespezifikation DH8004 (2).pdf
240 A 100 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DHS025N10 TO-220C DHS025N10 TO-220C 100V 240A Gerätespezifikation DHS025N10.pdf
30 A 60 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DHZ24 TO-220C DHZ24 TO-220C 60V 30A Gerätespezifikation DHZ24B31.pdf
19 A 80 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DH300N08D TO-252B DH300N08D TO-252B 80V 19A Gerätespezifikation DH300N08.pdf

Produktvideo

  • Melden Sie sich für unseren Newsletter an
  • Machen Sie sich bereit für die Zukunft.
    Melden Sie sich für unseren Newsletter an, um Updates direkt in Ihren Posteingang zu erhalten