120 A 80 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DSG053N08N3

120 A 80 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET

1 Beschreibung 

Diese Leistungs-Mosfets im N-Kanal-Anreicherungsmodus verwenden ein fortschrittliches Split-Gate-Trench-Technologie-Design und bieten einen hervorragenden Rdson und eine niedrige Gate-Ladung. Was dem RoHS-Standard entspricht. 

2 Funktionen 

● Schnelles Umschalten

● Geringer Widerstand 

● Niedrige Gate-Ladung 

● Hoher Lawinenstrom

● Geringe Rückübertragungskapazitäten

● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest

● 100 % ΔVDS-Test 

3 Anwendungen 

● Synchrongleichrichtung in SMPS

● Hartes Schalten und Hochgeschwindigkeitsschaltung 

● Batteriemanagement 

● USV (Unterbrechungsfreie Stromversorgung)

● Motorsteuerung und Antrieb

VDS	RDS(on)typ.	AUSWEIS	PAKET
80V	5mΩ	120A	TO-220C
80V	4,8 mΩ	120A	TO-263