πύλη
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Είστε εδώ: Σπίτι » Προϊόντα » MOSFET » 12V-300V N MOS » Λειτουργία βελτίωσης καναλιού N 120A 80V Power MOSFET DSG053N08N3

φόρτωση

Κοινοποίηση σε:
κουμπί κοινής χρήσης facebook
κουμπί κοινής χρήσης twitter
κουμπί κοινής χρήσης γραμμής
κουμπί κοινής χρήσης wechat
κουμπί κοινής χρήσης linkedin
κουμπί κοινής χρήσης pinterest
κουμπί κοινής χρήσης whatsapp
κοινοποιήστε αυτό το κουμπί κοινής χρήσης

120A 80V Λειτουργία βελτίωσης καναλιών N Power MOSFET DSG053N08N3

120A 80V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
Διαθεσιμότητα:
Ποσότητα:

120A 80V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET


1 Περιγραφή 

Αυτά τα power mosfet λειτουργίας βελτίωσης N καναλιών χρησιμοποιούσαν προηγμένη σχεδίαση τεχνολογίας splite gate trench, παρέχοντας εξαιρετικό Rdson και χαμηλή φόρτιση πύλης. Το οποίο συμφωνεί με το πρότυπο RoHS. 


2 Χαρακτηριστικά 

● Γρήγορη εναλλαγή

● Χαμηλή αντίσταση 

● Χαμηλή χρέωση πύλης 

● Υψηλό ρεύμα χιονοστιβάδας

● Χαμηλές χωρητικότητες ανάστροφης μεταφοράς

● Δοκιμή ενέργειας χιονοστιβάδας 100% ενός παλμού

● Δοκιμή ΔVDS 100%. 


3 Εφαρμογές 

● Σύγχρονη διόρθωση σε SMPS

● Κύκλωμα σκληρής μεταγωγής και υψηλής ταχύτητας 

● Διαχείριση μπαταρίας 

● UPS (Αδιάλειπτα Τροφοδοτικά)

● Έλεγχος κινητήρα και κίνηση


VDS RDS(on)typ. ταυτότητα ΠΑΚΕΤΟ
80V 5mΩ 120Α ΕΩΣ-220C
80V 4,8mΩ 120Α ΤΟ-263


Προηγούμενος: 
Επόμενος: 
  • Εγγραφείτε για το ενημερωτικό μας δελτίο
  • ετοιμαστείτε για το μέλλον
    εγγραφείτε στο ενημερωτικό μας δελτίο για να λαμβάνετε ενημερώσεις κατευθείαν στα εισερχόμενά σας