MOSFET de potencia DSG053N08N3 del modo de mejora del canal N de 120A 80V

MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N de 120 A y 80 V

1 Descripción 

Estos mosfets de potencia de modo de mejora de canal N utilizaron un diseño avanzado de tecnología de zanja de puerta dividida, proporcionaron un Rdson excelente y una carga de puerta baja. Lo cual cumple con el estándar RoHS. 

2 características 

● Cambio rápido

● Baja resistencia 

● Cargo de puerta bajo 

● Alta corriente de avalancha

● Bajas capacitancias de transferencia inversa.

● Prueba de energía de avalancha de pulso único al 100%

● Prueba 100% ΔVDS 

3 aplicaciones 

● Rectificación síncrona en SMPS

● Conmutación dura y circuito de alta velocidad 

● Gestión de la batería 

● UPS (Suministros de energía ininterrumpida)

● Control y accionamiento del motor.

VDS	RDS(encendido)tipo.	IDENTIFICACIÓN	PAQUETE
80V	5mΩ	120A	A-220C
80V	4,8 mΩ	120A	A-263