Disponibilité: | |
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Quantité: | |
DSG053N08N3
Wxdh
À 220c
80V
120a
120a 80V Mode d'amélioration du canal N MOSFET
1 Description
Ce mode d'amélioration de l'amélioration des canaux N a utilisé la conception avancée de la technologie de la tranchée de la porte SPLITE, a fourni un excellent RDSON et une charge de porte basse. Qui correspond à la norme ROHS.
2 caractéristiques
● Commutation rapide
● Faible de résistance
● Charge de porte basse
● Courant à avalanche élevé
● Capacités de transfert inverse faibles
● Test d'énergie à impulsion à 100% à une seule impulsion
● Test à 100% ΔVDS
3 applications
● Rectification synchrone dans SMPS
● Commutation dure et circuit à grande vitesse
● Gestion de la batterie
● UPS (alimentation ininterrupable)
● Contrôle et entraînement du moteur
Vds | RDS (ON) Typ. | IDENTIFIANT | EMBALLER |
80V | 5 mΩ | 120a | À 220c |
80V | 4,8mΩ | 120a | À 263 |
120a 80V Mode d'amélioration du canal N MOSFET
1 Description
Ce mode d'amélioration de l'amélioration des canaux N a utilisé la conception avancée de la technologie de la tranchée de la porte SPLITE, a fourni un excellent RDSON et une charge de porte basse. Qui correspond à la norme ROHS.
2 caractéristiques
● Commutation rapide
● Faible de résistance
● Charge de porte basse
● Courant à avalanche élevé
● Capacités de transfert inverse faibles
● Test d'énergie à impulsion à 100% à une seule impulsion
● Test à 100% ΔVDS
3 applications
● Rectification synchrone dans SMPS
● Commutation dure et circuit à grande vitesse
● Gestion de la batterie
● UPS (alimentation ininterrupable)
● Contrôle et entraînement du moteur
Vds | RDS (ON) Typ. | IDENTIFIANT | EMBALLER |
80V | 5 mΩ | 120a | À 220c |
80V | 4,8mΩ | 120a | À 263 |