120A 80V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DSG053N08N3

MOSFET de potência do modo de aprimoramento de canal N 120A 80V

1 Descrição 

Esses mosfets de potência de modo de aprimoramento de canal N usaram design avançado de tecnologia de trincheira splite gate, proporcionando excelente Rdson e baixa carga de portão. O que está de acordo com o padrão RoHS. 

2 recursos 

● Troca rápida

● Baixa resistência 

● Taxa de portão baixa 

● Alta corrente de avalanche

● Baixas capacitâncias de transferência reversa

● Teste de energia de avalanche de pulso único de 100%

● Teste ΔVDS 100% 

3 aplicações 

● Retificação síncrona em SMPS

● Comutação difícil e circuito de alta velocidade 

● Gerenciamento de bateria 

● UPS (fontes de alimentação ininterrupta)

● Controle e acionamento do motor

VDS	Tipo RDS(ligado).	EU IA	PACOTE
80V	5mΩ	120A	PARA-220C
80V	4,8mΩ	120A	PARA-263