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112 A 68 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DH100N06 TO-220C

Diese Leistungs-MOSFETs im N-Kanal-Anreicherungsmodus nutzten ein fortschrittliches Trench-Technologie-Design und sorgten für einen hervorragenden Rdson und eine niedrige Gate-Ladung. Was dem RoHS-Standard entspricht.
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112 A 68 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET


1 Beschreibung

Diese Leistungs-MOSFETs im N-Kanal-Anreicherungsmodus nutzten ein fortschrittliches Trench-Technologie-Design und sorgten für einen hervorragenden Rdson und eine niedrige Gate-Ladung. Was dem RoHS-Standard entspricht.


2 Funktionen 

● Geringer Widerstand 

● Niedrige Gate-Ladung 

● Schnelles Umschalten 

● Geringe Rückübertragungskapazitäten

● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest 

● 100 % ΔVDS-Test 


3 Anwendungen

● Leistungsschaltanwendungen 

● DC-DC-Wandler 

● Vollständige Brückenkontrolle

VBR RDS(ein) (TYP) AUSWEIS
68V 6,5 mΩ 112A



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