112A 68V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DH100N06 TO-220C

112A 68V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

1 Նկարագրություն

Այս N-ալիքի ընդլայնման ռեժիմի հոսանքի մոսֆետներն օգտագործում էին խրամուղիների առաջադեմ տեխնոլոգիայի դիզայն, ապահովում էին գերազանց Rdson և ցածր դարպասի լիցքավորում: Որը համապատասխանում է RoHS ստանդարտին:

2 Հատկանիշներ 

● Ցածր դիմադրություն 

● Դարպասի ցածր լիցքավորում 

● Արագ միացում 

● Հակադարձ փոխանցման ցածր հզորություններ

● 100% մեկ իմպուլսային ավալանշ էներգիայի փորձարկում 

● 100% ΔVDS թեստ 

3 Դիմումներ

● Էլեկտրաէներգիայի անջատման հավելվածներ 

● DC-DC կերպափոխիչներ 

● Կամուրջի ամբողջական կառավարում

VBR	RDS (միացված) (TYP)	ID
68 Վ	6,5 mΩ	112 Ա