112A 68V N-channel โหมดเพิ่มประสิทธิภาพ MOSFET DH100N06 TO-220C

112A 68V N-channel โหมดเพิ่มประสิทธิภาพ MOSFET พลังงาน

1 คำอธิบาย

มอสเฟตกำลังโหมดการเพิ่มประสิทธิภาพโหมด N-channel เหล่านี้ใช้การออกแบบเทคโนโลยีร่องลึกขั้นสูง ซึ่งให้ Rdson ที่ยอดเยี่ยมและการชาร์จเกตต่ำ ซึ่งสอดคล้องกับมาตรฐาน RoHS

2 คุณสมบัติ 

● ความต้านทานต่ำ 

● ค่าเกตต่ำ 

● การสลับอย่างรวดเร็ว 

● ความจุการถ่ายโอนแบบย้อนกลับต่ำ

● การทดสอบพลังงานหิมะถล่มพัลส์เดี่ยว 100% 

● การทดสอบ ΔVDS 100% 

3 การใช้งาน

● แอปพลิเคชันการเปลี่ยนพลังงาน 

● ตัวแปลง DC-DC 

● การควบคุมบริดจ์แบบเต็ม

วีบีอาร์	RDS (บน) (ประเภท)	บัตรประจำตัวประชาชน
68V	6.5mΩ	112เอ