MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 112 A 68 V DH100N06 TO-220C

MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 112 A 68 V

1 Descrizione

Questi mosfet di potenza in modalità di potenziamento a canale N utilizzavano un design avanzato della tecnologia trench, fornivano un eccellente Rdson e una bassa carica di gate. Che è conforme allo standard RoHS.

2 Caratteristiche 

● Bassa resistenza 

● Carica di gate bassa 

● Commutazione rapida 

● Basse capacità di trasferimento inverso

● Test energetico da valanga a impulso singolo al 100%. 

● Test ΔVDS al 100%. 

3 applicazioni

● Applicazioni di commutazione di potenza 

● Convertitori CC-CC 

● Controllo completo del ponte

VBR	RDS(acceso) (TIPO)	ID
68V	6,5 mΩ	112A