MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de 112A 68V DH100N06 TO-220C

MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N de 112 A y 68 V

1 Descripción

Estos mosfets de potencia en modo de mejora de canal N utilizaron un diseño de tecnología de zanja avanzada, proporcionaron un Rdson excelente y una carga de puerta baja. Lo cual cumple con el estándar RoHS.

2 características 

● Baja resistencia 

● Cargo de puerta bajo 

● Cambio rápido 

● Bajas capacitancias de transferencia inversa.

● Prueba de energía de avalancha de pulso único al 100% 

● Prueba 100% ΔVDS 

3 aplicaciones

● Aplicaciones de conmutación de energía 

● Convertidores CC-CC 

● Control total del puente

VBR	RDS (activado) (TIPO)	IDENTIFICACIÓN
68V	6,5 mΩ	112A