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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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112A 68V Modo de mejora del canal de potencia MOSFET DH100N06 a 220C

Estos Mosfets de potencia de potencia de modo de mejora del canal N utilizaron un diseño de tecnología de trinchera avanzada, proporcionó una excelente carga de RDSON y baja puerta. Que concuerda con el estándar ROHS.
Disponibilidad:
Cantidad:

112A 68V N-Canal Modo de mejora de potencia MOSFET


1 descripción

Estos Mosfets de potencia de potencia de modo de mejora del canal N utilizaron un diseño de tecnología de trinchera avanzada, proporcionó una excelente carga de RDSON y baja puerta. Que concuerda con el estándar ROHS.


2 características 

● Bajo en resistencia 

● carga de puerta baja 

● Cambio rápido 

● Capacitancias de transferencia inversa bajas

● Prueba de energía de avalancha de pulso 100% 100% 

● Prueba de 100% ΔVDS 


3 aplicaciones

● Aplicaciones de conmutación de encendido 

● Convertidores DC-DC 

● Control completo del puente

VBR RDS (ON) (typ) IDENTIFICACIÓN
68V 6.5mΩ 112a



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