MOSFET de potência do modo de aprimoramento de canal N 112A 68V
1 Descrição
Esses mosfets de potência no modo de aprimoramento de canal N usaram design de tecnologia de trincheira avançada, forneceram excelente Rdson e baixa carga de portão. O que está de acordo com o padrão RoHS.
2 recursos
● Baixa resistência
● Taxa de portão baixa
● Troca rápida
● Baixas capacitâncias de transferência reversa
● Teste de energia de avalanche de pulso único de 100%
● Teste ΔVDS 100%
3 aplicações
● Aplicações de comutação de energia
● Conversores DC-DC
● Controle total da ponte
| VBR |
RDS(ligado) (TYP) |
EU IA |
| 68 V |
6,5mΩ |
112A |