未命名 (1) (8) (1)
vrata
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Tu ste: Doma » Izdelki » Mosfet » 12V-300V N MO » 112A 68V N-kanalni način izboljšanja moči MOSFET DH100N06 TO-220C

nalaganje

Delite:
Gumb za skupno rabo Facebooka
Gumb za skupno rabo Twitterja
Gumb za skupno rabo vrstic
Gumb za skupno rabo WeChat
Gumb za skupno rabo LinkedIn
Gumb za skupno rabo Pinterest
Gumb za skupno rabo WhatsApp
Gumb za skupno rabo

112A 68V Način izboljšanja N-kanalov Power MOSFET DH100N06 TO-220C

Ta način izboljšanja N-kanalov Power MOSFETS je uporabljal napredno zasnovo tehnologije jarkov, zagotavljal odlično RDSON in nizko polnjenje vrat. Ki ustreza standardu ROHS.
Razpoložljivost:
Količina:
Poizvedite Dodaj v košarico

112A 68V Način izboljšanja N-kanalov Power MOSFET


1 opis

Ta način izboljšanja N-kanalov Power MOSFETS je uporabljal napredno zasnovo tehnologije jarkov, zagotavljal odlično RDSON in nizko polnjenje vrat. Ki ustreza standardu ROHS.


2 značilnosti 

● nizko odpornost 

● Nizka naboj vrat 

● Hitro preklapljanje 

● Kapacitivnosti z nizkim povratnim prenosom

● 100% enojni preskus energije z enim impulzom 

● 100% ΔVDS test 


3 aplikacije

● Aplikacije za preklop napajanja 

● DC-DC pretvorniki 

● Popoln nadzor mostu

Vbr RDS (ON) (Typ) Id
68V 6.5MΩ 112a



Prejšnji: 
Naslednji: 
Mosfet
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Prijavite se za naše glasilo
  • Pripravite se na prihodnjo
    prijavo na naše glasilo, da dobite posodobitve naravnost v mapo »Prejeto«
    Oddaj
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Tehnologija LEADENG.COM