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100A 40V N-Kanal-Verbesserungsmodus Power MOSFET DHS021N04P DFN5X6

Diese N-Channel-Verbesserungsmodus-MOSFETs verwendeten fortschrittliche Splite-Gate-Graben-Technologie-Design und bildeten eine hervorragende RDSON- und niedrige Gate-Ladung. Das entspricht dem ROHS -Standard.
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100A 40V N-Kanalverbesserungsmodus Power MOSFET


1 Beschreibung 


Diese N-Channel-Verbesserungsmodus-MOSFETs verwendeten fortschrittliche Splite-Gate-Graben-Technologie-Design und bildeten eine hervorragende RDSON- und niedrige Gate-Ladung. Das entspricht dem ROHS -Standard. 


2 Merkmale

● Niedrig des Widerstands 

● Ladung mit niedriger Gate 

● schnelles Umschalten 

● Niedrige Umkehrtransferkapazität 

● 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest

● 100% ΔVDS -Test


3 Anwendungen 

● Synchrone Korrektur in SMPs 

● Hartschalter und Hochgeschwindigkeitskreislauf

● Elektrowerkzeuge

● ups 

● Motorsteuerung




VDSS  RDS (ON) (Typ) AUSWEIS
40V 1,4 mΩ 100a


herunterladen Gerät DHS021N04 Spezifikation Rev.2.0.pdf

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