未命名 (1) (8) (1)
pintu gerbang
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Anda di sini: Rumah »» Produk » MOSFET » 12V-300V N MOS » 100A 40V N-Channel Mode Enhancement Power MOSFET DHS021N04P DFN5X6

Memuatkan

Kongsi ke:
butang perkongsian facebook
butang perkongsian twitter
butang perkongsian garis
butang perkongsian WeChat
butang perkongsian LinkedIn
butang perkongsian Pinterest
butang perkongsian WhatsApp
butang perkongsian sharethis

100A 40V N-Channel Mode Enhancement Power MOSFET DHS021N04P DFN5X6

MOSFET Kuasa MOSFET MODE N-Channel ini digunakan dengan reka bentuk teknologi parit pintu gerbang maju, dengan syarat RDSON yang sangat baik dan caj pintu rendah. Yang sesuai dengan standard ROHS.
Ketersediaan:
Kuantiti:
Bertanya Tambah ke bakul

100A 40V N-Channel Mode Enhancement Power MOSFET


1 Penerangan 


MOSFET Kuasa MOSFET MODE N-Channel ini digunakan dengan reka bentuk teknologi parit pintu gerbang maju, dengan syarat RDSON yang sangat baik dan caj pintu rendah. Yang sesuai dengan standard ROHS. 


2 ciri

● Rendah terhadap rintangan 

● Caj pintu rendah rendah 

● Pertukaran cepat 

● Kapasit pemindahan terbalik yang rendah 

● Ujian tenaga Avalanche Pulse Single 100%

● Ujian 100% Δvds


3 aplikasi 

● Pembetulan segerak dalam SMP 

● Beralih keras dan litar berkelajuan tinggi

● Alat kuasa

● UPS 

● Kawalan motor




VDSS  Rds (on) (typ) Id
40v 1.4mΩ 100a


muat turun Peranti DHS021N04 Spesifikasi Rev.2.0.pdf

Sebelumnya: 
Seterusnya: 
Transistor silikon epitaxial NPN
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Daftar untuk surat berita kami
  • Bersedia untuk
    mendaftar masa depan untuk buletin kami untuk mendapatkan kemas kini terus ke peti masuk anda
    Hantar
Hak Cipta © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by Leadong.com