未命名 (1) (8) (1)
geçit
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Buradasınız: Ev » Ürünler » Mosfet » 12V-300V N MOS » 100A 40V N-Kanal Geliştirme Modu Güç Mosfet DHS021N04P DFN5X6

yükleme

Paylaşın:
Facebook Paylaşım Düğmesi
Twitter Paylaşım Düğmesi
Hat Paylaşım Düğmesi
WeChat Paylaşım Düğmesi
LinkedIn Paylaşım Düğmesi
Pinterest Paylaşım Düğmesi
WhatsApp Paylaşım Düğmesi
Sharethis Paylaşım Düğmesi

100A 40V N Kanal Geliştirme Modu Power MOSFET DHS021N04P DFN5X6

Bu n-kanal geliştirme modu güç mosfets, mükemmel RDSON ve düşük kapı şarjı sağladı, gelişmiş splite geçit hendek teknolojisi tasarımı kullandı. ROHS standardı ile uyumludur.
Kullanılabilirlik:
Miktar:
Sormak Sepete Ekle

100A 40V N Kanal Geliştirme Modu Power Mosfet


1 Açıklama 


Bu n-kanal geliştirme modu güç mosfets, mükemmel RDSON ve düşük kapı şarjı sağladı, gelişmiş splite geçit hendek teknolojisi tasarımı kullandı. ROHS standardı ile uyumludur. 


2 Özellik

● Direnç düşük 

● Düşük kapı şarjı 

● Hızlı anahtarlama 

● Düşük ters transfer kapasitansları 

●% 100 tek nabız çığ enerji testi

●% 100 ΔVDS testi


3 Uygulama 

● SMP'lerde senkron düzeltme 

● Sert anahtarlama ve yüksek hızlı devre

● Elektrikli aletler

● UPS 

● Motor kontrolü




VDSS  RDS (ON) (tip) İD
40V 1.4mΩ 100a


indirmek Cihaz DHS021N04 Spesifikasyonu Rev.2.0.pdf

Öncesi: 
Sonraki: 
NPN epitaksiyal silikon transistör
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Bültenimize kaydolun
  • Geleceğe Hazır Olun
    Bültenimize doğrudan gelen kutunuza güncellemeler almak için kaydolun
    Göndermek
Telif Hakkı © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology tarafından Leadong.com