Daha Fazla Bilgi(1)(8) (1)
geçit
Jiangsu Donghai Yarıiletken Co, Ltd
Buradasınız: Ev » Ürünler » MOSFET » 12V-300V MOS » 100A 40V N-kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET DHS021N04P DFN5X6

yükleniyor

Şurada paylaş:
facebook paylaşım butonu
twitter paylaşım butonu
hat paylaşma butonu
wechat paylaşım düğmesi
linkedin paylaşım butonu
ilgi alanı paylaşma düğmesi
whatsapp paylaşım butonu
bu paylaşım düğmesini paylaş

100A 40V N-kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET DHS021N04P DFN5X6

Bu N-kanal geliştirme modu güç mosfetleri, gelişmiş splitegate hendek teknolojisi tasarımını kullandı ve mükemmel Rdson ve düşük geçit şarjı sağladı. RoHS standardına uygundur.
Stok Durumu:
Adet:
Sor Sepete Ekle

100A 40V N-kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET


1 Açıklama 


Bu N-kanal geliştirme modu güç mosfetleri, gelişmiş splitegate hendek teknolojisi tasarımını kullandı ve mükemmel Rdson ve düşük geçit şarjı sağladı. RoHS standardına uygundur. 


2 Özellikler

● Düşük direnç 

● Düşük kapı ücreti 

● Hızlı geçiş 

● Düşük ters transfer kapasitansları 

● %100 tek darbeli çığ enerjisi testi

● %100 ΔVDS testi


3 Uygulama 

● SMPS'de eşzamanlı düzeltme 

● Sert anahtarlama ve yüksek hızlı devre

● Elektrikli aletler

● UPS 

● Motor kontrolü




VDSS  RDS(açık) (TİP) İD
40V 1,4mΩ 100A


indirmek Cihaz DHS021N04 Spesifikasyonu Rev.2.0.pdf

Öncesi: 
Sonraki: 
NPN Epitaksiyel Silikon Transistör
  • Jiangsu Donghai Yarıiletken Co, Ltd
  • Bültenimize kaydolun
  • geleceğe hazırlanın
    güncellemeleri doğrudan gelen kutunuza almak için bültenimize kaydolun
    Göndermek
Telif Hakkı © 2023​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Teknoloji: leadong.com