未命名 (1) (8) (1)
vrata
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Ste tukaj: Doma » Izdelki » Mosfet » 12V-300V N MO » 100A 40V N-kanalni način izboljšanja moči MOSFET DHS021N04P DFN5X6

nalaganje

Delite:
Gumb za skupno rabo Facebooka
Gumb za skupno rabo Twitterja
Gumb za skupno rabo vrstic
Gumb za skupno rabo WeChat
Gumb za skupno rabo LinkedIn
Gumb za skupno rabo Pinterest
Gumb za skupno rabo WhatsApp
Gumb za skupno rabo

100A 40V Način izboljšanja N-kanalov Power MOSFET DHS021N04P DFN5X6

Ti načini za izboljšanje N-kanalov Power MOSFETS so uporabili napredno zasnovo tehnologije z zplitami vrat, zagotovili odlično RDSON in nizko polnjenje vrat. Ki ustreza standardu ROHS.
Razpoložljivost:
Količina:
Poizvedite Dodaj v košarico

100A 40V Način izboljšanja N-kanala Power MOSFET


1 opis 


Ti načini za izboljšanje N-kanalov Power MOSFETS so uporabili napredno zasnovo tehnologije z zplitami vrat, zagotovili odlično RDSON in nizko polnjenje vrat. Ki ustreza standardu ROHS. 


2 značilnosti

● nizko odpornost 

● Nizka naboj vrat 

● Hitro preklapljanje 

● Kapacitivnosti z nizkim povratnim prenosom 

● 100% enojni preskus energije z enim impulzom

● 100% ΔVDS test


3 aplikacije 

● Sinhrona rektifikacija v SMPS 

● Trdo preklop in vezje z visoko hitrostjo

● Električna orodja

● UPS 

● Nadzor motorja




VDS  RDS (ON) (Typ) Id
40V 1.4mΩ 100A


Prenos Naprava DHS021N04 Specifikacija Rev.2.0.pdf

Prejšnji: 
Naslednji: 
Epitaksialni silicijev tranzistor NPN
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Prijavite se za naše glasilo
  • Pripravite se na prihodnjo
    prijavo na naše glasilo, da dobite posodobitve naravnost v mapo »Prejeto«
    Oddaj
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Tehnologija LEADENG.COM