100A 40V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DHS021N04P DFN5X6

100A 40V N-kanálový režim Enhancement Power MOSFET

1 Popis 

Tyto výkonové mosfety v režimu N-kanálového vylepšení využívaly pokročilý design technologie výkopu splite gate, který poskytoval vynikající Rdson a nízký náboj hradla. Což odpovídá standardu RoHS. 

2 Vlastnosti

● Nízký odpor 

● Nízký poplatek za bránu 

● Rychlé přepínání 

● Nízké zpětné přenosové kapacity 

● 100% jednopulzní lavinový energetický test

● Test 100% ΔVDS

3 Aplikace 

● Synchronní usměrnění v SMPS 

● Pevné spínání a vysokorychlostní obvod

● Elektrické nářadí

● UPS 

● Ovládání motoru

• 
  

VDSS	RDS(zapnuto) (TYP)	ID
40V	1,4 mΩ	100A