未命名 (1) (8) (1)
gate
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
DU ÄR HÄR: Hem » Produkt » Mosfet » 12V-300V N MOS DFN5X6 100A 40V N-kanalförbättringsläge Power MOSFET DHS021N04P

belastning

Dela till:
Facebook -delningsknapp
Twitter -delningsknapp
linjedelningsknapp
WeChat Sharing -knapp
LinkedIn Sharing -knapp
Pinterest Sharing -knapp
whatsapp delningsknapp
Sharethis Sharing -knapp

100A 40V N-kanalförbättringsläge Power MOSFET DHS021N04P DFN5X6

Dessa N-kanalförbättringsläge Power MOSFETS använde avancerad Splite Gate Trench-teknikdesign, gav utmärkt RDSON och låg grindladdning. Som överensstämmer med ROHS -standarden.
Tillgänglighet:
Kvantitet:
Fråga Lägg till i korgen

100A 40V N-kanalförbättringsläge Power MOSFET


1 Beskrivning 


Dessa N-kanalförbättringsläge Power MOSFETS använde avancerad Splite Gate Trench-teknikdesign, gav utmärkt RDSON och låg grindladdning. Som överensstämmer med ROHS -standarden. 


2 funktioner

● Låg motstånd 

● Låg grindavgift 

● Snabbbrytning 

● Låg omvänd överföringskapacitanser 

● 100% enkelpuls snöskredsenergitest

● 100% ΔVDS -test


3 applikationer 

● Synkron rättelse i SMPS 

● Hård omkoppling och höghastighetskrets

● Strömverktyg

● UPS 

● Motorstyrning




Vds  Rds (on) (typ) Id
40V 1,4 mΩ 100a


ladda ner Enhet DHS021N04 Specifikation Rev.2.0.pdf

Tidigare: 
Nästa: 
NPN epitaxial kiseltransistor
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Registrera dig för vårt nyhetsbrev
  • Gör dig redo för den framtida
    registreringen för vårt nyhetsbrev för att få uppdateringar direkt till din inkorg
    Överlämna
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology av Leadong.com