未命名 (1) (8) (1)
Poartă
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Sunteți aici: Acasă » Produse » MOSFET » 12V-300V N MOS » 100a 40V N-canal Mod de îmbunătățire MOSFET DHS021N04P DFN5X6

încărcare

Distribuie la:
Buton de partajare Facebook
Buton de partajare pe Twitter
Buton de partajare a liniei
Buton de partajare WeChat
Butonul de partajare LinkedIn
Butonul de partajare Pinterest
Butonul de partajare WhatsApp
Buton de partajare Sharethis

100a 40V N-canal Mod de îmbunătățire MOSFET DHS021N04P DFN5X6

Aceste moduri de îmbunătățire a canalelor N MOSFET-uri au utilizat designul tehnologiei avansate de poartă de tip poartă, a furnizat RDSON excelent și încărcare joasă a porții. Care este în conformitate cu standardul ROHS.
Disponibilitate:
cantitate:
Întreba Adăugați la coș

100a 40V N-canal Mod de îmbunătățire a puterii MOSFET


1 Descriere 


Aceste moduri de îmbunătățire a canalelor N MOSFET-uri au utilizat designul tehnologiei avansate de poartă de tip poartă, a furnizat RDSON excelent și încărcare joasă a porții. Care este în conformitate cu standardul ROHS. 


2 caracteristici

● Rezistență scăzută 

● Încărcare scăzută a porții 

● comutare rapidă 

● Capacități de transfer invers scăzut 

● Test de energie 100% cu un singur impuls de avalanșă

● Test 100% ΔVDS


3 aplicații 

● Rectificare sincronă în SMPS 

● Comutarea dură și circuitul de mare viteză

● Instrumente electrice

● UPS 

● Controlul motorului




VDSS  RDS (ON) (TIP) Id
40V 1,4mΩ 100a


descărcare Dispozitiv DHS021N04 Specificații Rev.2.0.pdf

Anterior: 
Următorul: 
Tranzistor de siliciu epitaxial NPN
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Înscrieți -vă la newsletter -ul nostru
  • Pregătește -te pentru viitorul
    înregistrare pentru newsletter -ul nostru pentru a primi actualizări direct la căsuța de e -mail
    Depune
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by Leadong.com