未命名 (1) (8) (1)
värav
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Sa oled siin: Kodu » Tooted » Mosfet » 12V-300V N MOS » 100A 40V N-kanali lisamisrežiim Power Mosfet DHS021N04P DFN5X6

laadimine

Jagage:
Facebooki jagamisnupp
Twitteri jagamise nupp
ridade jagamise nupp
WeChati jagamisnupp
LinkedIni jagamisnupp
Pinteresti jagamisnupp
WhatsApi jagamisnupp
ShareThise jagamisnupp

100A 40 V N-kanali tugevdamisrežiim MOSFET DHS021N04P DFN5X6

Need N-kanali lisamisrežiimi võimsus MOSFETS kasutasid Advanced Splite Gate Trench Technology disaini, pakkusid suurepärast RDSON-i ja madala värava laadimist. Mis on kooskõlas ROHSi standardiga.
Kättesaadavus:
kogus:
Küsima Lisage korvi

100A 40 V N-kanali tugevdamise režiimi mootor MOSFET


1 kirjeldus 


Need N-kanali lisamisrežiimi võimsus MOSFETS kasutasid Advanced Splite Gate Trench Technology disaini, pakkusid suurepärast RDSON-i ja madala värava laadimist. Mis on kooskõlas ROHSi standardiga. 


2 funktsiooni

● Madal takistus 

● Madala väravatasu 

● Kiire vahetamine 

● Madal tagurpidi ülekande mahtuvus 

● 100% ühe impulsi laviini energiatesti

● 100% ΔVDS -test


3 rakendust 

● SMP -de sünkroonne refereerimine 

● kõva lülitus ja kiire vooluring

● Elektritööriistad

● UPS 

● Mootori juhtimine




VDSS  RDS (ON) (tüüp) Isikutunnistus
40 V 1,4m Ω 100A


alla laadima Seade DHS021N04 spetsifikatsioon Rev.2.0.pdf

Eelmine: 
Järgmine: 
NPN epitaksiaalne räni transistor
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Registreeruge meie infolehte
  • Olge tulevikuks valmis
    meie infolehte, et saada värskendusi otse oma postkasti
    Alluma
Autoriõigus © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd tehnoloogia Leadong.com