未命名 (1) (8) (1)
դարբաս
Jiangsu Donghai կիսահաղորդչային ընկերություն, ՍՊԸ
եք Տուն այստեղ Արտադրանք Դուք Մոգած ​ 12V-300V N MOS ​ ​

բեռնում

Կիսվեք,
Facebook- ի փոխանակման կոճակը
Twitter- ի փոխանակման կոճակը
Գծի փոխանակման կոճակը
Wechat Sharing կոճակը
LinkedIn Sharing կոճակը
Pinterest Sharing կոճակը
WhatsApp- ի փոխանակման կոճակը
ShareThis Sharing կոճակը

100A 40V N-ալիքի բարելավման ռեժիմ Power Mosfet DHS021N04P DFN5x6

Այս N-ալիքի բարելավման ռեժիմը Mosfets- ը օգտագործեց առաջադեմ պառակտված դարպասի խրամատի տեխնոլոգիական ձեւավորում, ապահովեց գերազանց RDSON եւ ցածր դարպասի լիցք: Որը համաձայնեցնում է RoHS ստանդարտին:
Առկայություն.
Քանակ:
Հարցաքննել Ավելացնել զամբյուղ

100A 40V N-ալիքի բարելավման ռեժիմ Power Mosfet


1 Նկարագրություն 


Այս N-ալիքի բարելավման ռեժիմը Mosfets- ը օգտագործեց առաջադեմ պառակտված դարպասի խրամատի տեխնոլոգիական ձեւավորում, ապահովեց գերազանց RDSON եւ ցածր դարպասի լիցք: Որը համաձայնեցնում է RoHS ստանդարտին: 


2 առանձնահատկություններ

● ցածր դիմադրություն 

● ցածր դարպասի վճար 

● արագ անցում 

● Հակադարձ փոխանցման ցածր հզորություններ 

● 100% միայնակ զարկերակային ավալանշի էներգիայի թեստ

● 100% δvds թեստ


3 դիմում 

● SMPS- ի համաժամանակյա շտկումը 

● Կոշտ անջատիչ եւ արագ արագության միացում

● Էլեկտրաէներգիայի գործիքներ

● ups 

● Շարժիչային հսկողություն




VDSS  RDS (ON) (TYP) Id
40V 1.4 մ 100 ա


Ներբեռնեք Սարք DHS021N04 Հատկանիշ Rev.2.0.pdf

Նախորդը: 
Հաջորդը. 
NPN Epitaxial Silicon Transistor
  • Jiangsu Donghai կիսահաղորդչային ընկերություն, ՍՊԸ
  • Գրանցվեք մեր տեղեկագրին
  • Պատրաստվեք ապագա
    գրանցվել մեր տեղեկագրին, ձեր մուտքի արկղի թարմացումներ ստանալու համար
    Ներկայացնել
Հեղինակային իրավունք © 2023Jiangsu Donghai կիսահաղորդչային Co., Ltd տեխնոլոգիա LEATONG