未命名 (1) (8) (1)
gerbang
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Anda di sini: Rumah » Produk » MOSFET » 12V-300V n Mos » 100a 40v N-Channel Mode Peningkatan Daya MOSFET DHS021N04P DFN5X6

memuat

Bagikan ke:
Tombol Berbagi Facebook
Tombol Berbagi Twitter
Tombol Berbagi Baris
Tombol Berbagi WeChat
Tombol Berbagi LinkedIn
Tombol Berbagi Pinterest
Tombol Berbagi WhatsApp
Tombol Berbagi Sharethis

100A 40V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DHS021N04P DFN5X6

Mode Peningkatan N-Channel Power MOSFET ini menggunakan desain teknologi parit gerbang splite canggih, memberikan RDSON yang sangat baik dan biaya gerbang rendah. Yang sesuai dengan standar ROHS.
Ketersediaan:
Kuantitas:
Menanyakan Tambahkan ke keranjang

100A 40V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET


1 deskripsi 


Mode Peningkatan N-Channel Power MOSFET ini menggunakan desain teknologi parit gerbang splite canggih, memberikan RDSON yang sangat baik dan biaya gerbang rendah. Yang sesuai dengan standar ROHS. 


2 fitur

● Rendah pada resistensi 

● Biaya gerbang rendah 

● Pergantian cepat 

● Kapasitansi transfer terbalik rendah 

● Tes energi longsor pulsa tunggal 100%

● Tes 100% ΔVDS


3 aplikasi 

● Perbaikan sinkron di SMPS 

● switching keras dan sirkuit kecepatan tinggi

● Alat listrik

● UPS 

● Kontrol motor




VDSS  RDS (on) (Typ) PENGENAL
40v 1.4mΩ 100a


unduh Perangkat DHS021N04 Spesifikasi Rev.2.0.pdf

Sebelumnya: 
Berikutnya: 
Transistor silikon epitaxial npn
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Mendaftar untuk buletin kami
  • Bersiaplah untuk Masa Depan
    Mendaftar untuk Newsletter kami untuk mendapatkan pembaruan langsung ke kotak masuk Anda
    Kirim
Hak Cipta © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology oleh leadong.com