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Modo de mejora del canal de 4 40V de 40V MOSFET DHS021N04P DFN5X6

Estos Mosfets de potencia de potencia de modo de mejora del canal N utilizaron un diseño de tecnología de trinchera de compuerta de espíritu avanzada, proporcionó una excelente carga de Rdson y baja puerta. Que concuerda con el estándar ROHS.
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Modo de mejora de canal de 4 40V de 40V MOSFET


1 descripción 


Estos Mosfets de potencia de potencia de modo de mejora del canal N utilizaron un diseño de tecnología de trinchera de compuerta de espíritu avanzada, proporcionó una excelente carga de Rdson y baja puerta. Que concuerda con el estándar ROHS. 


2 características

● Bajo en resistencia 

● carga de puerta baja 

● Cambio rápido 

● Capacitancias de transferencia inversa bajas 

● Prueba de energía de avalancha de pulso 100% 100%

● Prueba de 100% ΔVDS


3 aplicaciones 

● Rectificación sincrónica en SMPS 

● Circuito de conmutación dura y alta velocidad

● Herramientas eléctricas

● UPS 

● Control de motor




VDSS  RDS (ON) (typ) IDENTIFICACIÓN
40V 1.4mΩ 100A


descargar Dispositivo DHS021N04 Especificación Rev.2.0.pdf

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