未命名(1)(8) (1)
puerta
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd.
Usted está aquí: Hogar » Productos » Transistor de silicio epitaxial NPN
Modelo:
Paquete:
V:
A:
LÍNEAS DE PRODUCTOS SELECCIONADAS:

Todos los productos

Imagen Modelo Paquete V A Ficha técnica Detalles Consulta Añadir al carrito
Diodo de barrera Schottky 20A 100V MBR20100CT TO-252 MJD122 A-252 100V 5A 英文版TIP122MJD122技术规格书.pdf
Paquete de transistor de silicio epitaxial NPN TIP122 TO-220M CONSEJO122 A-220M 100V 5A 英文版TIP122MJD122技术规格书.pdf
Paquete de transistor de silicio epitaxial NPN TIP122 TO-220M CONSEJO127 A-220M -100V -5A 英文版TIP127MJD127技术规格书.pdf
Paquete de transistor de silicio epitaxial NPN MJD127 TO-252 MJD127 A-252 -100V -5A 英文版TIP127MJD127技术规格书.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 100A 40V DHS021N04P DFN5X6 DHS021N04P DFN5X6 40V 100A Donghai DHS021N04P Hoja de datos V3.0.pdf

Vídeo del producto

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd.
  • Suscríbete a nuestro boletín
  • prepárese para el futuro
    suscríbase a nuestro boletín para recibir actualizaciones directamente en su bandeja de entrada
    Entregar
Copyright © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Tecnología por leadong.com