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Diodo de barrera Schottky 20A 100V MBR20100CT TO-252

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Paquete de transistor de silicio epitaxial NPN MJD122 TO-252

El TIP122/MJD 1 2 2 es un transistor de bajo voltaje de potencia media que proporciona un voltaje de aislamiento nominal de 2000 V RMS desde los tres terminales hasta el disipador térmico externo.

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Modelo:
MJD122
Marca:
WXDH
Paquete:
A-252
Ficha de datos:
英文版TIP122MJD122技术规格书.pdf
V:
100V
A:
5A

Descripción del Producto

Transistor de silicio epitaxial NPN

1 Descripción

El TIP122/MJD 1 2 2 es un transistor de bajo voltaje de potencia media que proporciona un voltaje de aislamiento nominal de 2000 V RMS desde los tres terminales hasta el disipador térmico externo.

2 características

Salida de alta corriente hasta 5A

Tensión de saturación baja

Complemento al TIP127

3 aplicaciones

regulador de voltaje

lineal de media potencia

traspuesta

BVCB	BVCE	CI
100V	100V	5A

Transistor de silicio epitaxial NPN

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