Доступность: | |
---|---|
количество: | |
MJD122
WXDH
До 252
100 В
5A
NPN Эпитаксиальный кремниевый транзистор
1 Описание
TIP122 / MJD 1 2 2 - это средняя мощность низкой VoltageTransistor обеспечивает изоляционное напряжение, которое оценивается при среднеквадратичной оценке 2000 В от всех трех терминалов до внешнего радиатора.
2 функции
Выходная вывод до 5А
Низкое напряжение насыщения
Дополнение к TIP127
3 приложения
регулятор напряжения
Средняя мощность линейна
переключение
BVCB | Бвсе | IC |
100 В | 100 В | 5A |
NPN Эпитаксиальный кремниевый транзистор
1 Описание
TIP122 / MJD 1 2 2 - это средняя мощность низкой VoltageTransistor обеспечивает изоляционное напряжение, которое оценивается при среднеквадратичной оценке 2000 В от всех трех терминалов до внешнего радиатора.
2 функции
Выходная вывод до 5А
Низкое напряжение насыщения
Дополнение к TIP127
3 приложения
регулятор напряжения
Средняя мощность линейна
переключение
BVCB | Бвсе | IC |
100 В | 100 В | 5A |