Доступност: | |
---|---|
Количина: | |
МЈД122
Вкдх
До-252
100В
5а
НПН Епитаксијални силицијум транзистор
1 опис
ТИП122 / МЈД 1 2 2 је средњи напајање низак волтагетрансистор пружа напон изолације назначен на 2000В РМС-у од сва три терминала до спољне хладноће.
2 карактеристике
Висок тренутни излаз до 5А
Напон ниског засићења
Додатак на ТИП127
3 апликације
регулатор напона
Средње напајање линеарно
пребацивање
Бвцб | Бвце | Иц |
100В | 100В | 5а |
НПН Епитаксијални силицијум транзистор
1 опис
ТИП122 / МЈД 1 2 2 је средњи напајање низак волтагетрансистор пружа напон изолације назначен на 2000В РМС-у од сва три терминала до спољне хладноће.
2 карактеристике
Висок тренутни излаз до 5А
Напон ниског засићења
Додатак на ТИП127
3 апликације
регулатор напона
Средње напајање линеарно
пребацивање
Бвцб | Бвце | Иц |
100В | 100В | 5а |