未命名 (1) (8) (1)
kapu
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Itt vagy: Otthon » Termékek » DIÓDA » 40V-200V SBD » npn epitaxiális szilícium tranzisztor MJD122 TO-252 csomag

terhelés

Ossza meg:
Facebook megosztási gomb
Twitter megosztási gomb
vonalmegosztó gomb
WeChat megosztási gomb
LinkedIn megosztási gomb
Pinterest megosztási gomb
WhatsApp megosztás gomb
Sharethis megosztási gomb

NPN epitaxiális szilícium tranzisztor MJD122 TO-252 csomag

A TIP122 / MJD 1 2 2 egy közepes teljesítményű, alacsony volt, volt, volt, volt, a szigetelési feszültséget 2000 V -os RMS -nél, mindhárom terminálról a külső hűtőbordaig.  
Elérhetőség:
mennyiség:
Érdeklődik Adja hozzá a kosárhoz

NPN epitaxiális szilícium tranzisztor


1 Leírás

A TIP122 / MJD 1 2 2 egy közepes teljesítményű, alacsony volt, volt, volt, volt, a szigetelési feszültséget 2000 V -os RMS -nél, mindhárom terminálról a külső hűtőbordaig.


2 Jellemzők

Nagy áram kimenete legfeljebb 5a 

Alacsony telítettségi feszültség

Kiegészítve a tip127 -et


3 alkalmazás 

feszültségszabályozó 

közepes teljesítményű lineáris 

átkapcsolás




BVCB BVCE IC
100 V -os 100 V -os 5A


Előző: 
Következő: 
NPN epitaxiális szilícium tranzisztor
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Iratkozzon fel hírlevelünkre
  • Készüljön fel a jövőre,
    regisztráljon hírlevelünkre, hogy egyenesen frissítéseket kapjon a postaládájába
    Benyújt
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology készítette Leadong.com