Paquet MJD122 TO-252 de transistor de silicium épitaxial de NPN

Transistor épitaxial en silicium NPN

1 Descriptif

Le TIP122 / MJD 1 2 2 est un transistor basse tension de puissance moyenne fournissant une tension d'isolation nominale de 2 000 V RMS entre les trois bornes et le dissipateur thermique externe.

2 Caractéristiques

Sortie de courant élevé jusqu'à 5A 

Faible tension de saturation

Complément au TIP127

3 candidatures 

régulateur de tension 

linéaire de puissance moyenne 

commutation

BVCB	BVCE	CI
100V	100V	5A