ທ່ານຢູ່ທີ່ນີ້: ບ້ານ »» ຜະລິດຕະພັນ » ເຂື່ອນ »» 40v-200v sbd » » Epitaxial silicon silicon Transistor MJD122 ເຖິງ 252 ຊຸດ

20A 100v schotTkybarbybarbardiode mbr20100T ເຖິງ 252

ແບ່ງປັນໃຫ້:

NPN Epitaxial Silicon Transistor MJD122 ເຖິງ 252 ຊຸດ

The Tip122 / MJD 1 2 2 ແມ່ນ Power Volgeternsistor Lower Low ຂະຫນາດກາງໃຫ້ຄະແນນຄວາມແຮງສູງທີ່ຖືກຈັດອັນດັບສູງ 2000V ຈາກສາມສາມສະຖານີສໍາລັບ heatsink ພາຍນອກ.

ຄວາມພ້ອມ:

ປະລິມານ:



ສອບຖາມ ໃສ່ກະຕ່າ

ແບບ:
MJD122
ຍີ່ຫໍ້:
wxdh
ຊຸດ:
ເຖິງ 252
Datasheet:
英文版ເຄັດລັບ1222MJD12技术规格书 .PDF
V:
ຮ້ອຍ
A:
5a

ລາຍລະອຽດຂອງສິນຄ້າ

NPN Epitaxial Silicon Transistor

2 ລັກສະນະ

ຜົນຜະລິດໃນປະຈຸບັນສູງເຖິງ 5a

ແຮງດັນຄວາມອົດທົນຕ່ໍາ

ປະກອບເປັນ TIP127

3 ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ

ຜູ້ຄວບຄຸມແຮງດັນ

ສາຍໄຟຂະຫນາດກາງ

ສັບປ່ຽນ

BVCB	BVCE	ic
ຮ້ອຍ	ຮ້ອຍ	5a

ທີ່ຜ່ານມາ:

ຕໍ່ໄປ:

NPN Epitaxial Silicon Transistor

ລົງທະບຽນສໍາລັບຈົດຫມາຍຂ່າວຂອງພວກເຮົາ
ກຽມພ້ອມສໍາລັບ
ການລົງທະບຽນໃນອະນາຄົດສໍາລັບຈົດຫມາຍຂ່າວຂອງພວກເຮົາເພື່ອໃຫ້ໄດ້ຮັບການອັບເດດໂດຍກົງກັບກ່ອງຈົດຫມາຍຂອງທ່ານ

ຍື່ນສະເຫນີ

ຜະລິດຕະພັນຂອງພວກເຮົາ
ກ່ຽວກັບ Letor
ການເຊື່ອມຕໍ່ເພີ່ມເຕີມ
ຕິດຕໍ່ພວກເຮົາ

ອີເມວ:

sales@wxdh.com .cn

ສາຍດ່ວນ:

+ 86-510-853077777777777777789
ເຄືອຂ່າຍທາງສັງຄົມ