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Paquete de transistor de silicio epitaxial NPN TIP122 TO-220M

El TIP122/MJD 1 2 2 es un transistor de baja tensión de potencia media que proporciona una tensión de aislamiento nominal de 2000 V RMS desde los tres terminales hasta el disipador térmico externo.  
Disponibilidad:
Cantidad:

Transistor de silicio epitaxial NPN


1 Descripción

El TIP122/MJD 1 2 2 es un transistor de baja tensión de potencia media que proporciona una tensión de aislamiento nominal de 2000 V RMS desde los tres terminales hasta el disipador térmico externo.


2 características

Salida de alta corriente hasta 5A 

Voltaje de saturación bajo

Complemento al TIP127


3 aplicaciones 

regulador de voltaje 

lineal de media potencia 

traspuesta




BVCB BVCE CI
100V 100V 5A


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