Disponibilidad: | |
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Cantidad: | |
TIP122
Wxdh
A 220m
100V
5A
NPN Transistor de silicio epitaxial
1 descripción
El TIP122 / MJD 1 2 2 es un voltagetransistor bajo de potencia media proporciona un voltaje de aislamiento nominal de 2000 V RMS desde los tres terminales hasta un disipador térmico externo.
2 características
Alta salida de corriente hasta 5A
Bajo voltaje de saturación
Complemento a Tip127
3 aplicaciones
regulador de voltaje
potencia media lineal
traspuesta
Bvcb | Bvce | Beer |
100V | 100V | 5A |
NPN Transistor de silicio epitaxial
1 descripción
El TIP122 / MJD 1 2 2 es un voltagetransistor bajo de potencia media proporciona un voltaje de aislamiento nominal de 2000 V RMS desde los tres terminales hasta un disipador térmico externo.
2 características
Alta salida de corriente hasta 5A
Bajo voltaje de saturación
Complemento a Tip127
3 aplicaciones
regulador de voltaje
potencia media lineal
traspuesta
Bvcb | Bvce | Beer |
100V | 100V | 5A |