NPN эпитаксиалды кремний транзисторы
1 сипаттама
TiP122 / MJD 1 2 2 - орташа қуат төмен вольгетрансистор - барлық үш терминалдан сыртқы жылулыққа дейінгі барлық үш терминалдан бастап RMS-ке инсекцияланатын кернеу береді.
2 мүмкіндіктер
Жоғары токтың шығуы 5А дейін
Төмен қанықтылық кернеуі
127-ге толықтырады
3 өтінім
Кернеу реттегіші
Орташа қуат сызықтары
ауыстырғыш
Б вВС |
Жгізу |
МЕН ТҮСІНЕМІН |
100v |
100v |
5а |