未命名(1)(8) (1)
Poartă
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Sunteți aici: Acasă » Produse » DIODA » 40V-200V SBD » Pachet tranzistor de siliciu epitaxial NPN TIP122 TO-220M

încărcare

Distribuie la:
butonul de partajare pe facebook
butonul de partajare pe Twitter
butonul de partajare a liniilor
butonul de partajare wechat
butonul de partajare linkedin
butonul de partajare pe pinterest
butonul de partajare whatsapp
partajați acest buton de partajare

Tranzistor epitaxial de siliciu NPN TIP122 TO-220M Pachet

TIP122 / MJD 1 2 2 este un tranzistor de joasă tensiune de putere medie care oferă o tensiune de izolație de 2000 V RMS de la toate cele trei terminale la radiatorul extern.  
Disponibilitate:
Cantitate:
Întreba Adăugați în coș

Tranzistor de siliciu epitaxial NPN


1 Descriere

TIP122 / MJD 1 2 2 este un tranzistor de joasă tensiune de putere medie care oferă o tensiune de izolație de 2000 V RMS de la toate cele trei terminale la radiatorul extern.


2 Caracteristici

Ieșire de curent mare de până la 5A 

Tensiune de saturație scăzută

Complement la TIP127


3 Aplicații 

regulator de tensiune 

liniar de putere medie 

comutarea




BVCB BVCE IC
100V 100V 5A


Anterior: 
Următorul: 
Tranzistor de siliciu epitaxial NPN
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Înscrieți-vă pentru buletinul nostru informativ
  • pregătiți-vă pentru viitorul
    înscriere la buletinul nostru informativ pentru a primi actualizări direct în căsuța dvs. de e-mail
    Trimiteți
Drepturi de autor © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Tehnologie de leadong.com