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TIP122
Wxdh
À 220m
100V
5A
Transistor de silicium épitaxial NPN
1 Description
Le TIP122 / MJD 1 2 2 est une puissance moyenne basse voltagetransistor fournit une tension d'isolation évaluée à 2000V RMS des trois bornes à un dissipateur thermique externe.
2 caractéristiques
Sortie à courant élevé jusqu'à 5A
Faible tension de saturation
Complément à TIP127
3 applications
régulateur de tension
puissance moyenne linéaire
commutation
BVCB | BVCE | IC |
100V | 100V | 5A |
Transistor de silicium épitaxial NPN
1 Description
Le TIP122 / MJD 1 2 2 est une puissance moyenne basse voltagetransistor fournit une tension d'isolation évaluée à 2000V RMS des trois bornes à un dissipateur thermique externe.
2 caractéristiques
Sortie à courant élevé jusqu'à 5A
Faible tension de saturation
Complément à TIP127
3 applications
régulateur de tension
puissance moyenne linéaire
commutation
BVCB | BVCE | IC |
100V | 100V | 5A |