kapu
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Ön itt van: Otthon » Termékek » DIÓDA » 40V-200V SBD » NPN epitaxiális szilícium tranzisztor TIP122 TO-220M csomag

terhelés

Megosztás:
Facebook megosztás gomb
Twitter megosztás gomb
vonalmegosztás gomb
wechat megosztási gomb
linkedin megosztás gomb
pinterest megosztási gomb
WhatsApp megosztási gomb
oszd meg ezt a megosztási gombot

NPN epitaxiális szilícium tranzisztor TIP122 TO-220M csomag

A TIP122 / MJD 1 2 2 egy közepes teljesítményű, alacsony feszültségű tranzisztor, amely 2000 V RMS névleges szigetelési feszültséget biztosít mindhárom kivezetéstől a külső hűtőbordáig.  
Elérhetőség:
Mennyiség:

NPN epitaxiális szilícium tranzisztor


1 Leírás

A TIP122 / MJD 1 2 2 egy közepes teljesítményű, alacsony feszültségű tranzisztor, amely 2000 V RMS névleges szigetelési feszültséget biztosít mindhárom kivezetéstől a külső hűtőbordáig.


2 Jellemzők

Magas kimeneti áram 5A-ig 

Alacsony telítési feszültség

TIP127 kiegészítése


3 Alkalmazások 

feszültségszabályozó 

közepes teljesítményű lineáris 

átkapcsolás




BVCB BVCE IC
100V 100V 5A


Előző: 
Következő: 
  • Iratkozzon fel hírlevelünkre
  • készüljön fel a jövőre,
    iratkozzon fel hírlevelünkre, hogy közvetlenül a postaládájába kapja a frissítéseket