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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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Diodo barriera Schottky da 20 A 100 V MBR20100CT TO-252 MJD122 TO-252 100 V 5A 英文版TIP122MJD122技术规格书.pdf
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Pacchetto transistor epitassiale al silicio NPN MJD127 TO-252 MJD127 TO-252 -100 V -5A 英文版TIP127MJD127技术规格书.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 100 A 40 V DHS021N04P DFN5X6 DHS021N04P DFN5X6 40 V 100A Donghai DHS021N04P Scheda tecnica V3.0.pdf

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