disponibilità di voltagetransistor a bassa potenza di media potenza: | |
---|---|
quantità: | |
MJD127
Wxdh
To-252
-100v
-5a
Transistor di silicio epitassiale NPN
1 Descrizione
MJD127/TIP127 è un voltagetransistor a bassa potenza media
2 caratteristiche
Output ad alta corrente fino a 5a
Bassa tensione di saturazione
Complemento a TIP122
3 applicazioni
Regolatore di tensione
lineare di media potenza
commutazione
BVCB | Bvce | CIRCUITO INTEGRATO |
-100v | -100v | -5a |
Transistor di silicio epitassiale NPN
1 Descrizione
MJD127/TIP127 è un voltagetransistor a bassa potenza media
2 caratteristiche
Output ad alta corrente fino a 5a
Bassa tensione di saturazione
Complemento a TIP122
3 applicazioni
Regolatore di tensione
lineare di media potenza
commutazione
BVCB | Bvce | CIRCUITO INTEGRATO |
-100v | -100v | -5a |