portti
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Olet tässä: Kotiin » Tuotteet » DIODI » 40 V-200V SBD » npn epitaksiaalinen pii-transistori MJD127 TO-252 -paketti

lastaus

Jaa:
Facebook -jakamispainike
Twitterin jakamispainike
linjanjako -painike
WeChatin jakamispainike
LinkedIn -jakamispainike
Pinterestin jakamispainike
WhatsApp -jakamispainike
Sharethisin jakamispainike

NPN-epitaksiaalinen pii-transistori MJD127 TO-252 -paketti

MJD127/TIP127 on keskimääräinen teho, alhainen voltagetransistor
saatavuus:
Määrä:

NPN -epitaksiaalinen piisitransistori


1 Kuvaus

MJD127/TIP127 on keskipitkän tehon matala voltaagetransistori


2 ominaisuutta

Korkea virran lähtö jopa 5A 

Matala kylläisyysjännite

Täydennys TIP122: lle


3 sovellusta 

jännitesäädin 

keskikokoinen lineaarinen 

vaihtaminen




Bvcb Bvce IC
-100V -100V -5a


Edellinen: 
Seuraava: 
  • Rekisteröidy uutiskirjeemme
  • Valmistaudu tulevaisuuteen
    rekisteröityäksesi uutiskirjeemme saadaksesi päivitykset suoraan postilaatikkoosi