ворота
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Ви тут: Домашній » Продукція » Діод » 40V-200 В SBD » NPN Epitaxial Silicon Transistor MJD127 до 252 пакет

навантаження

Поділитися до:
Кнопка обміну Facebook
Кнопка обміну Twitter
Кнопка спільного використання рядків
Кнопка обміну WeChat
Кнопка спільного використання LinkedIn
Кнопка спільного використання Pinterest
кнопка обміну WhatsApp
Кнопка спільного використання Sharethis

Епітаксіальний кремній транзистор NPN MJD127 TO-252 Пакет

MJD127/TIP127 - це середня потужність низької
доступності вольтагетрансістра:
Кількість:

Епітаксіальний кремній транзистор NPN


1 опис

MJD127/TIP127 - це середня потужна низька вольтагетрансістор


2 особливості

Високий випуск струму до 5А 

Низька напруга насичення

Доповнення до TIP122


3 програми 

регулятор напруги 

середня потужність лінійна 

перемикання




BVCB Bvce ІМ
-100V -100V -5А


Попередній: 
Далі: 
  • Підпишіться на наш бюлетень
  • Будьте готові до майбутнього
    реєстрації для нашого інформаційного бюлетеня, щоб отримати оновлення прямо до вашої поштової скриньки