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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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Pacchetto Tasistor epitassiale di transistor in silicio epitassiale 127 TO-220m

MJD127/TIP127 è una
disponibilità di voltagetransistor a bassa potenza di media potenza:
quantità:

Transistor di silicio epitassiale NPN


1 Descrizione

MJD127/TIP127 è un voltagetransistor a bassa potenza media


2 caratteristiche

Output ad alta corrente fino a 5a 

Bassa tensione di saturazione

Complemento a TIP122


3 applicazioni 

Regolatore di tensione 

lineare di media potenza 

commutazione




BVCB Bvce CIRCUITO INTEGRATO
-100v -100v -5a


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