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63 A 60 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET

63 A 60 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET
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63 A 60 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET


1 Beschreibung 

Diese Leistungs-MOSFETs im N-Kanal-Anreicherungsmodus nutzten ein fortschrittliches Trench-Technologie-Design und sorgten für einen hervorragenden Rdson und eine niedrige Gate-Ladung. Was dem RoHS-Standard entspricht. 


2 Funktionen 

● Geringer Widerstand

● Niedrige Gate-Ladung 

● Schnelles Umschalten 

● Geringe Rückübertragungskapazitäten 

● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest 

● 100 % ΔVDS-Test


3 Anwendungen

● Leistungsschaltanwendungen 

● Wechselrichter-Managementsystem 

● Elektrowerkzeuge 

● Automobilelektronik


VDS RDS(on)typ. AUSWEIS
60V 13mΩ 63A


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