63A 60V N-kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET

63A 60V N-kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET

1 Açıklama 

Bu N-kanal geliştirme modu güç mosfetleri, gelişmiş kanal teknolojisi tasarımını kullanmış, mükemmel Rdson ve düşük geçit şarjı sağlamıştır. RoHS standardına uygundur. 

2 Özellikler 

● Düşük direnç

● Düşük kapı ücreti 

● Hızlı geçiş 

● Düşük ters transfer kapasitansları 

● %100 tek darbeli çığ enerjisi testi 

● %100 ΔVDS testi

3 Uygulama

● Güç anahtarlama uygulamaları 

● İnvertör yönetim sistemi 

● Elektrikli aletler 

● Otomotiv elektroniği

VDS'ler	RDS(açık)tip.	İD
60V	13mΩ	63A