Verfügbarkeit: | |
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Menge: | |
DH060N07B
Wxdh
To-251b
68 V
100a
N-Kanal-Verbesserungsmodus Power MOSFET 100A 68V
1 Beschreibung
Diese MOSFETs mit N-Kanalverbesserung modePower verwendeten fortschrittliche Gräbertechnologiedesign und bieten Dexcellen Rdsonand Lowgate Ladung.
2 Merkmale
● LowonResistance
● Lowgatecharge
● Fastschalten
● LowReversSeTransfercapactances
● 100%EinzelpulsavalcheenergyTest
● 100%Δvdstest
3 Anwendungen
● PowerSwitchingApplications
● DC-DCCONverters
● FullbridgeControl
VDSS | RDS (ON) (Typ) | AUSWEIS |
68 V | 5,7 mΩ | 100a |
N-Kanal-Verbesserungsmodus Power MOSFET 100A 68V
1 Beschreibung
Diese MOSFETs mit N-Kanalverbesserung modePower verwendeten fortschrittliche Gräbertechnologiedesign und bieten Dexcellen Rdsonand Lowgate Ladung.
2 Merkmale
● LowonResistance
● Lowgatecharge
● Fastschalten
● LowReversSeTransfercapactances
● 100%EinzelpulsavalcheenergyTest
● 100%Δvdstest
3 Anwendungen
● PowerSwitchingApplications
● DC-DCCONverters
● FullbridgeControl
VDSS | RDS (ON) (Typ) | AUSWEIS |
68 V | 5,7 mΩ | 100a |