未命名 (1) (8) (1)
ворота
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Вы здесь Дом » Продукция » МОСФЕТ » 12 В-300В N MOS » :

загрузка

Поделиться с:
Кнопка обмена Facebook
Кнопка обмена Twitter
Кнопка обмена строками
Кнопка обмена WeChat
Кнопка совместного использования LinkedIn
Pinterest кнопка совместного использования
Кнопка обмена WhatsApp
Кнопка обмена Sharethis

N-канальный режим улучшения мощности MOSFET 100A 68V DH060N07B TO-251B

N-канальный режим улучшения мощности MOSFET 100A 68 В
Доступность:
Количество:
Запросить Добавить в корзину

N-канальный режим улучшения мощности MOSFET 100A 68V


1 Описание 

В этих N-канальных модах моделей повышения моды использовались современные технологии траншеи, обеспечивая зарядки Dexcellen Rdsonand Lowgate. Который согласен с стандартом ROHS.


2 функции 

● низкорезистентность

● LowgateCharge

● Быстрое рассеяние 

● Lowerversetransfercapacitancs

● 100%SinglePulseavalancheeNergytest

● 100%ΔVdStest


3 приложения 

● PowerSwitchingApplications

● DC-DCConverters

● FullBridgeControl


VDSS RDS (ON) (тип) ИДЕНТИФИКАТОР
68 В 5,7 МОм 100А


Предыдущий: 
Следующий: 
N-канальный режим улучшения мощности MOSFET 100A 68V
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Зарегистрируйтесь в нашей бюллетене
  • Будьте готовы к будущему,
    подпишитесь на нашу новостную рассылку, чтобы получить обновления прямо в ваш почтовый ящик
    Представлять на рассмотрение
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology By vedong.com