未命名 (1) (8) (1)
vrata
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Ste tukaj: Doma » Izdelki » Mosfet » 12V-300V N MO » Način izboljšanja n-kanala Power MOSFET 100A 68V DH060N07B TO-251B

nalaganje

Delite:
Gumb za skupno rabo Facebooka
Gumb za skupno rabo Twitterja
Gumb za skupno rabo vrstic
Gumb za skupno rabo WeChat
Gumb za skupno rabo LinkedIn
Gumb za skupno rabo Pinterest
Gumb za skupno rabo WhatsApp
Gumb za skupno rabo

Način izboljšanja N-kanalov Power MOSFET 100A 68V DH060N07B TO-251B

Način izboljšanja N-kanalov Power MOSFET 100A 68V
Razpoložljivost:
Količina:
Poizvedite Dodaj v košarico

Način izboljšanja N-kanalov Power MOSFET 100A 68V


1 opis 

Ti modepower MOSFET-ji N-kanale uporabljajo napredno zasnovo tehnologije jarkov, zagotavljajo Dexcellen rdsonand lowgate naboj. Ki se strinja s standardom ROHS.


2 značilnosti 

● Lowonresistance

● LowGateCharge

● Hitro stiskanje 

● LowReversEtransferCapacitcatices

● 100%SinglePulsEaVanCanchineenergyTest

● 100%Δvdstest


3 aplikacije 

● PowersWitchingapplications

● DC-DCConverters

● FullbridgeControl


VDS RDS (ON) (Typ) Id
68V 5.7mΩ 100A


Prejšnji: 
Naslednji: 
Način izboljšanja N-kanalov Power MOSFET 100A 68V
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Prijavite se za naše glasilo
  • Pripravite se na prihodnjo
    prijavo na naše glasilo, da dobite posodobitve naravnost v mapo »Prejeto«
    Oddaj
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Tehnologija LEADENG.COM