N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 100A 68V
1 Popis
Tyto mosfety s vylepšeným N-kanálovým režimem využívají pokročilý design technologie výkopu, poskytují dexcellen Rdson a lowgate charge. Což odpovídá standardu RoHS.
2 Vlastnosti
●Nízký odpor
●Nízký náboj
● Rychlé přepínání
●Nízká zpětná přenosová kapacita
●100% jednopulsní avalancheenergytest
●100%ΔVDStest
3 Aplikace
●Aplikace s přepínáním napájení
●DC-DC konvertory
●Fullbridge control
| VDSS |
RDS(zapnuto)(TYP) |
ID |
| 68V |
5,7 mΩ |
100A |